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FDS6898AZ_F085中文资料20 V、9.4 A、10 mΩ、SO-8,逻辑电平双通道 N 沟道 PowerTrench®数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS6898AZ_F085

功能描述

20 V、9.4 A、10 mΩ、SO-8,逻辑电平双通道 N 沟道 PowerTrench®

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 11:30:00

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FDS6898AZ_F085规格书详情

描述 Description

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

特性 Features

•9.4 A、20 V、RDS(ON) = 14 mΩ(VGS = 4.5 V)
•低栅极电荷(16nC,典型值)
•静电放电(ESD)保护二极管(注3)
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS6898AZ_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :9.4

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=18

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=14

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :9

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :16

  • Ciss Typ (pF)

    :1821

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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