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FDS6875中文资料双 P 沟道,2.5V 指定,PowerTrench® MOSFET,-20V,-6A,30mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS6875

功能描述

双 P 沟道,2.5V 指定,PowerTrench® MOSFET,-20V,-6A,30mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-29 10:38:00

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FDS6875规格书详情

描述 Description

这些P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合便携式电子应用: 负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。

特性 Features

•-6 A,-20 V。 RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = -4.5 V, RDS(ON) = 0.040 Ω @ VGS = -2.5 V.
•低栅极电荷(典型值23 nC)
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS6875

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-6

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=40

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=30

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :12

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :23

  • Ciss Typ (pF)

    :2250

  • Package Type

    :SOIC-8

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