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FDS4501H

Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET

General Description This complementary MOSFET half-bridge device is produced using Fairchild’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features • Q1: N-Channel 9.

文件:1.39046 Mbytes 页数:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDS4501H

互补 PowerTrench® 半桥 MOSFET

此互补MOSFET半桥器件采用飞兆先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 • Q1: N沟道 \n• 9.3 A, 30 V;

ONSEMI

安森美半导体

GP4501

N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:427.84 Kbytes 页数:9 Pages

GTM

勤益投资控股

GPSCW4501

GLASS MOUNT

文件:1.15412 Mbytes 页数:5 Pages

pulse

GSS4501

N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:423.87 Kbytes 页数:9 Pages

GTM

勤益投资控股

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    Complementary

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    ±20

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    Q1

  • ID Max (A):

    N

  • PD Max (W):

    2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    N

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    13

  • Ciss Typ (pF):

    1312

  • Package Type:

    SOIC-8

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更多FDS4501供应商 更新时间2025-12-24 19:58:00