丝印：FDPF8N60ZUT；Package：TO-220F；N-Channel UniFETTM II Ultra FRFETTM MOSFET 600 V, 6.5 A, 1.35 Ω

Features • RDS(on) = 1.15 Ω (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 3.25 A • Low Gate Charge (Typ. 20 nC) • Low Crss (Typ. 10 pF) • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capability • RoHS Compliant Applications • LCD/LED TV • Lighting • Uninterruptible Power Supply • AC-DC Power Supply Desc

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ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=6.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.35Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 6.5A, 1.35廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，Ultra FRFETTM，600 V，6.5 A，1.35 Ω，TO-220F

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。其 trr小于 50 nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20 V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200 nsec 以上和 4.5 V/nsec。因此，UniFET Ultra FRFET MOSFET 在要求 MOSFET 体二极管性能改进的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性 •RDS(on) = 1.15Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.25A栅极电荷低（典型值：20nC)\n•低 Crss（典型值10pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 性能\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体