DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

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FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=7A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET 500V, 7A, 1廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，FRFET®，500 V，7 A，1 Ω，TO-220F

UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 UniFET II FRFET® MOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 •RDS(on) = 850mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.25A\n•低栅极电荷（典型值 14nC） \n•低 Crss（典型值 5pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•改进了 ESD 防护能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体