isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 42.5mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

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ISC

无锡固电

250V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，250V，25A，42.5mΩ

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 36.3mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 25A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

NPN Small Signal High Speed Low Power Saturating Switch Transistor

NPN Small Signal High Speed Low Power Saturating Switch Transistor

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SURFCOIL SMT INDUCTORS

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SURFCOIL SMT INDUCTORS

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