isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.23Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

文件：322.52 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

500V N-Channel MOSFET

文件：1.01037 Mbytes 页数：10 Pages

Fairchild

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，20A，230 mΩ，TO-220F

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。 •RDS(on) = 230mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 10A\n•低栅极电荷（典型值 45.6nC） \n•低 Crss（典型值 27pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel UniFETTM FRFET짰 MOSFET 500 V, 20 A, 260 m?

Description UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. The body diode’s reverse recov

文件：429.87 Kbytes 页数：10 Pages

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.26Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

文件：322.57 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.23Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

文件：322.53 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

PFCPWM Combination Controller

Introduction This application note describes step-by-step design considerations for a power supply using the FAN480X controller. The FAN480X combines a PFC controller and a PWM controller. The PFC controller employs average current mode control for Continuous Conduction Mode (CCM) boost converter

文件：620.41 Kbytes 页数：17 Pages

Fairchild

仙童半导体

Power Factor Correction Converter Design

文件：682.46 Kbytes 页数：15 Pages

Fairchild

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，20 A，260 mΩ，TO-220F

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET® MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功 •RDS(on) = 210mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 10A\n•低栅极电荷（典型值 50nC） \n•低 Crss（典型值 27pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，20A，230 mΩ，TO-220F

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 230mΩ （典型值）（VGS = 10V，ID = 10A 时）栅极电荷低（典型值：45.6nC)\n•低 Crss（典型值27pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;

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