丝印：FDPC5030SG；Package：PQFN8；MOSFET - Dual N-Channel, Asymmetric, POWERTRENCH Power Clip 30 V

General Description This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET (Q2) have been designed to provide o

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ONSEMI

安森美半导体

30V，不对称双 N 沟道，PowerTrench® Power Clip MOSFET

该器件在双封装中包括两个专用 N 沟道 MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q1) 和同步 synchronous SyncFET™ (Q2) 旨在提供优化的功效。 • Q1： N 沟道\n• 最大值 rDS(on) = 4.6 mΩ（VGS = 10 V, ID = 17 A）\n• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 14 A）Q2： N 沟道\n• 最大值 rDS(on) = 2.4 mΩ（VGS = 10 V, ID = 25 A）\n• 最大值 rDS(on) = 3.0 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 22 A）;

ONSEMI

安森美半导体

LOW VOLTAGE HUMIDITY SENSORS

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Honeywell

霍尼韦尔

Economical, Miniature Limit Switch Boasting Rigid Construction

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OMRON

欧姆龙

Economical, Miniature Limit Switch Boasting Rigid Construction

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