丝印：FDPC5018SG；Package：PowerClip56；PowerTrench® Power Clip 30V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

Features Q1: N-Channel Max rDS(on) = 5.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 17 A Max rDS(on) = 6.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 14 A Q2: N-Channel Max rDS(on) = 1.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 32 A Max rDS(on) = 2.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 28 A Low Inductance Packaging Shortens Rise/Fall Times, Resulting i

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FAIRCHILD

仙童半导体

30V，不对称双 N 沟道，PowerTrench® Power Clip MOSFET

该器件在双封装中包括两个专用 N 沟道 MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET™ (Q2) 旨在提供优化的功效。 • Q1： N 沟道\n• 最大值 rDS(on) = 4.6 mΩ（VGS = 10 V, ID = 17 A）\n• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 14 A）Q2： N 沟道\n• 最大值 rDS(on) = 1.6 mΩ（VGS = 10 V, ID = 32 A）\n• 最大值 rDS(on) = 2.0 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 28 A）;

ONSEMI

安森美半导体

8-CHANNEL WIDEBAND RECEIVER

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TI

德州仪器

8-CHANNEL WIDEBAND RECEIVER

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TI

德州仪器

8-CHANNEL WIDEBAND RECEIVER

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德州仪器