N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 156A, 4.1m?

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，156A，4.1mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •rDS(ON) = 4.1mΩ @ VGS = 10V，ID=35A\n•rDS(ON) = 4.6mΩ @ VGS = 4.5V，ID=35A\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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Fairchild

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 156A, 4.1mW

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N-Channel PowerTrench MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

30 V、156 A、3.4 mΩ、TO-220N 沟道 PowerTrench®

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。 rDS(ON) = 4.1 mΩ、VGS = 10 V、ID = 35 A\n rDS(ON) = 4.6mΩ，VGS = 4.5V，ID = 35A\n 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(ON)\n 低栅极电荷\n 高功率和高电流处理能力\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体