| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
FDP61N20 | DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | |
FDP61N20 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=41mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
FDP61N20 | 200V N-Channel MOSFET | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | |
200VN-ChannelMOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. |  | ||
VoltageDetector | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半 台湾半导体股份有限公司 |  |
详细参数
- 型号：
FDP61N20
- 功能描述：
MOSFET 200V N-Channel MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2206+ |
TO220 |
9600 |
原装正品现货,优势价格批发 |
询价 | ||
onsemi |
23+ |
TO-220-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220 |
300 |
只做原装进口 免费送样!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
DIP |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-220 |
4800 |
全新原装正品现货实单价可谈 |
询价 | ||
ONN |
23+ |
N/A |
1600 |
原装原装原装哈 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
DIP |
11048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
DIP |
15316 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
FSC |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
FAI |
246 |
询价 |
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