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FDP5500_F085

N 沟道,UltraFET 功率 MOSFET,55V,80A,7mΩ

N-Channel UltraFET Power MOSFET 55 V, 80 A, 7 mΩ 典型 rDS(on) = 5.1 mΩ(VGS = 10 V、ID = 80 A)\n VGS = 10V时,典型Qg(10) = 114nC\n 仿真模型

ONSEMI

安森美半导体

FDP5500-F085

N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 80A, 7m廓

文件:448.02 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDH5500_F085

N-Channel UltraFET Power MOSFET

文件:358.17 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDH5500_F085

N-Channel UltraFET Power MOSFET Solenoid and Motor Control

文件:358.17 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

技术参数

  • Compliance:

    AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

     

  • V(BR)DSS Min (V):

    55

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    80

  • PD Max (W):

    375

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    114

  • Ciss Typ (pF):

    3565

  • Package Type:

    TO-220-3

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更多FDP5500_F085供应商 更新时间2025-10-8 10:20:00