FDN86246中文资料N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，1.6A，261mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDN86246规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 1.6 A时，最大rDS(on) = 261 mΩ
•VGS = 6 V，ID = 1.4 A时，最大rDS(on) = 359 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• PD Switch
技术参数
- 制造商编号
：FDN86246
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：1.6
- PD Max (W)
：1.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：261
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.6
- Ciss Typ (pF)
：168
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CCSEMI/芯能圆 |
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CCSEMI/芯能圆 |
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SOT-23 |
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25+ |
SOT23-3 |
15000 |
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