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FDN361AN中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDN361AN
厂商型号

FDN361AN

功能描述

N-Channel, Logic Level, PowerTrench課?

文件大小

946.07 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FDN361AN规格书详情

General Description

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

特性 Features

• 1.8 A, 30 V. RDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V RDS(on) = 0.150 Ω @ VGS = 4.5 V.

• Low gate charge ( 2.1nC typical ).

• Fast switching speed.

• High performance trench technology for extremely low RDS(on).

• High power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin out to SOT-23 with 30 higher power handling capability.

Applications

• DC/DC converter

• Load switch

• Motor drives

产品属性

  • 型号:

    FDN361AN

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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