N 沟道双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET 150V，99A，6.5mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 • 最大 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 15 A）\n• 最大值 rDS(on) = 7.8 mΩ（VGS= 6 V, ID = 13 A 时）\n• 低rDS(on) 和高效的先进硅封装\n•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n•薄型 8x8mm MLP 封装\n•MSL1 强健封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Silicon Power Schottky Diode

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GENESIC

Silicon Power Schottky Diode

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GENESIC

0.8 mm PITCH SURFACE MOUNT PLUG TYPE

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SUYIN-USA