FDMT800100DC

N 沟道 Dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET 100 V、162 A、2.95 mΩ; • 最大值 rDS(on) = 4.85 mΩ（VGS = 10 V, ID = 24 A 时）\n• 最大值 rDS(on) = 4.46 mΩ（VGS = 6 V, ID = 19 A 时）\n• 低rDS(on) 和高效的先进硅封装\n• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n• 薄型 8x8mm MLP 封装\n• MSL1 强健封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准 \n;

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

B800100

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MBRTA800100

SiliconPowerSchottkyDiode

MBRTA800100R

SiliconPowerSchottkyDiode

T800100

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