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FDMS9620S

Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET Q1: 30V, 16A, 21.5m廓 Q2: 30V, 18A, 13m廓

文件:279.43 Kbytes 页数:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDMS9620S

Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:339.75 Kbytes 页数:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDMS9620S_07

Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:339.75 Kbytes 页数:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDMS9620S

双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V

该器件包含两个专用MOSFET,采用独特的双Power56封装。 该器件设计用于提供一个最佳效率和PCB使用的同步降压功率级。 低导通损耗低侧SyncFET是低开关损耗高侧MOSFET的补充器件™。 • Q1: N 沟道\n• 最大 RDS(on) = 29.5mΩ(VGS = 4.5V,ID = 6.5A)Q2: N 沟道\n• 低 Qg高侧 MOSFET\n• 低 RDS(on)低侧 MOSFET\n• 热高效的双 Power 56 封装\n• 为简单 PCB 设计而优化的引脚配置\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    Q1

  • PD Max (W):

    2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    Q1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    18

  • Ciss Typ (pF):

    700

  • Package Type:

    WDFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDMS9620S供应商 更新时间2025-12-10 15:40:00