N 沟道，Power Trench® MOSFET，100V，16.5A，56mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。 •VGS = 10 V，ID = 4.8 A时，最大rDS(on) = 56mΩ\n•VGS = 6V，ID = 3.9A时，最大rDS(on) = 88mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•100%经过UIL测试\n•终端无引线且符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 16.5 A, 56 m廓

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Fairchild

仙童半导体

Heyco® Nylon Conduit Fittings - 90° Sweep Fittings

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Heyco

Heyco® Nylon Conduit Fittings - 90° Sweep Fittings

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Heyco

HDSL TRANSFORMERS

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BOTHHAND