N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，176A，1.9mΩ

FDMS7658AS设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的rDS(on)。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。 •VGS = 10 V，ID = 28 A时，最大rDS(on) = 1.9 mΩ\n•VGS = 7 V，ID = 26 A时，最大rDS(on) = 2.2 mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率\n•SyncFET肖特基体二极管\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 SyncFETTM 30 V, 49 A, 1.9 m廓

文件：476.65 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

High PF, Dual Path, PWM Dimmable Linear Constant Current LED Driver

文件：456.6 Kbytes 页数：1 Pages

MAXIC

美芯晟

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：343 Kbytes 页数：13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen III power MOSFET • 100 Rg tested • 100 avalanche tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay APPLICATIONS • Low side switch for DC/DC converters     - Servers     - POL     - VRM • OR-ing

文件：142.89 Kbytes 页数：7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司