双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V

该器件在双MLP封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。 • Q1： N沟道\n•VGS = 10 V且ID = 12 A时，最大rDS(on) = 10.0 mΩ \n•VGS = 4.5 V且ID = 10 A时，最大rDS(on) = 13.6 mΩ Q1： N沟道;

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Q1: 30 V, 22 A, 10.0 m Ohm Q2: 30 V, 30 A, 6.3 m Ohm

文件：386.76 Kbytes 页数：12 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Non-isolated step-down four-stage dimming LED constant current driver IC based on wall switch

文件：248.64 Kbytes 页数：6 Pages

FUMAN

富满微

HD SERIES - HEAVY DUTY NEAMA

文件：237.78 Kbytes 页数：1 Pages

BUD

Analog CMOS Integrated Circuits

文件：1.11465 Mbytes 页数：15 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)