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FDMS5352

N 沟道,Power Trench® MOSFET,60V,49A,6.7mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10V,ID = 13.6A时,Max rDS(on) = 6.7mΩ\n•VGS = 4.5V,ID = 12.3A时,最大rDS(on) = 8.2mΩ\n•先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS5352

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 60V, 49A, 6.7m廓

文件:282.66 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FP5352

RF AMPLIFIER MODEL

文件:70.27 Kbytes 页数:1 Pages

APITECH

G5352

Ergonomic Plugs for Square Tubing

文件:124.88 Kbytes 页数:1 Pages

HEYCO

HA5352

Fast Acquisition Dual Sample and Hold Amplifier

文件:133.81 Kbytes 页数:5 Pages

INTERSIL

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    49

  • PD Max (W):

    104

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    8.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    6.7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    48

  • Ciss Typ (pF):

    5220

  • Package Type:

    PQFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD
22+
QFN8
8652
原装现货,假一罚十
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ON/安森美
20+
PQFN-8
120000
原装正品 可含税交易
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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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Power56
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1983
只做原装正品
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原包装原封 □□
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原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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更多FDMS5352供应商 更新时间2026-4-17 10:38:00