不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。 • Q1: N沟道\n•最大 rDS(on)=11 mΩ（VGS=4.5 V且ID=11 A）Q2: N沟道\n•低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗\n•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

7.6mm (0.3 inch)/10.9mm (0.43 inch) Seven Segment Display

Description The 7.6 mm (0.3 inch) and 10.9 mm (0.43 inch) LED seven segment displays are designed for viewing distances up to 3 metres (10 feet) and 5 metres (16 feet). These devices use an industry standard size package and pinouts. All devices are available as either common anode or common cath

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HP

安捷伦

WIPER CONTROLLER

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HONGFA

宏发电声

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HUAYI

华羿微电