N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，100A，3.9mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 3.2mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 50A\n•低FOM RDS(on) *QG\n•低反向恢复电荷，Qrr = 80nC\n•反向恢复软体二极管\n•使能高效同步整流\n•快速开关速度\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications

文件：3.23672 Mbytes 页数：12 Pages

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID = 171A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.9mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件：332.96 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 171A, 3.9mW

文件：1.64694 Mbytes 页数：9 Pages

Fairchild

仙童半导体