N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，22A，4.3mΩ

FDMS0310AS 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的rDS(on)。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。 •VGS = 10 V，ID = 19 A时，最大rDS(on) = 4.3 mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 17 A时，最大rDS(on) = 5.2 mΩ\n•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率\n•SyncFET肖特基体二极管\n•MSL1耐用封装设计\n• 100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Fixed-Frequency Flyback Controller

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Fixed-Frequency Flyback Converter EV Board

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