N 沟道 PowerTrench® SyncFET™ 30V，49A，2.8mΩ

FDMS0308AS 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的rDS(on)。该器件具有一个高效单片肖特基体二极管所具备的额外优势。 • 最大 rDS(on)=2.8 mΩ（VGS=10 V、ID=24 A）\n• 最大 rDS(on)=3.5 mΩ（VGS=4.5 V、ID=21 A）￭ \n• 低rDS(on)和高效的高级硅封装\n• SyncFET 肖特基体二极管\n• MSL1 耐用封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS0308CS N-Channel PowerTrench짰 SyncFETTM 30 V, 42 A, 3 m

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

1/6.5?쇺? VGA CMOS Image Sensor

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ETC1List of Unclassifed Manufacturers

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Utilizes leading-edge GSM/GPRS/EDGE silicon

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ETC1List of Unclassifed Manufacturers

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