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FDMS015N04B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，100A，1.5mΩ 此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 1.13mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 50A\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 RDS(on)和高效率\n•快速开关速度\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS015N04B	文件：3.23672 Mbytes Page：12 Pages	New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications 文件：3.23672 Mbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IIPP015N04N	文件：337.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：337.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB015N04L	文件：263.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：263.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB015N04LG	文件：448.82 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor OptiMOS™3 Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 100 Ava 文件：448.82 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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中天科工半导体（深圳）有限公司	FDMS015N04B	ONSEMI/安森美	25+	8-PQFN5x6	20300	ONSEMI/安森美原装特价FDMS015N04B即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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深圳市高捷芯城科技有限公司	FDMS015N04B	onsemi(安森美)	25+	PQFN-8(5x6)	21000	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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更多FDMS015N04B供应商更新时间2026-4-17 11:31:00