P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-8A，24mΩ

该器件是专为蜂窝手机和其他超便携式应用中的电池充电或负载开关应用而设计的。 包含一个具有低通态电阻的MOSFET和齐纳二极管防静电放电保护。 MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。 •VGS = -4.5 V，ID = -8 A时，最大rDS(on) = 24mΩ\n•VGS = -2.5 V，ID = -7 A时，最大rDS(on) = 31mΩ\n•VGS = -1.8 V，ID = -6 A时，最大rDS(on) = 45mΩ\n•薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装\n•HBM静电放电保护等级> 2kV典型值（注3）\n•不含有卤化合物和氧化锑\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

3.3V 400mA/250mA Low Dropout Regulator

General Description The G910/G911 positive 3.3V voltage regulator features the ability to source 600mA/250mA+ of output current with a dropout voltage of typically 0.65V/0.25V. A low quiescent current is provided. The typical quiescent current is 0.3mA. Features Dropout voltage typical

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GMT

致新科技

3.3V 600mA/250mA Low Dropout Regulator

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GMT

致新科技

GSM | GPRS Embedded

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Telit

泰利特