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FDMD8630	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30 V， 167 A，1.0 mΩ Thispackageintegratestwo N-Channeldevicesconnected internallyincommon-source configuration. This enables very lowpackageparasitics andoptimizedthermalpathtothe commonsourcepadonthebottom.Providesaverysmall footprint (5 x 6 mm) for higher power density. • Common Source Configuration to Eliminate PCB Routing\n• Large Source Pad on Bottom of Package for Enhanced Thermals\n• Ideal for Flexible Layout in Secondary Side Synchronous Rectification;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMD8630	文件：574.67 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel PowerTrench0 MOSFET 文件：574.67 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KS8630	文件：258.149 Kbytes Page：23 Pages	ENHANCED CALLING LINE IDENTIFIER WITH CALL WAITING 文件：258.149 Kbytes 页数：23 Pages	Samsung 三星	Samsung
KS8630D	文件：258.149 Kbytes Page：23 Pages	ENHANCED CALLING LINE IDENTIFIER WITH CALL WAITING 文件：258.149 Kbytes 页数：23 Pages	Samsung 三星	Samsung
LA8630	文件：133.25 Kbytes Page：6 Pages	Low Voltage and Current Dissipation Compandor IC Functions • Compressor (VCA circuit, full-wave rectifying circuit, adder amplifier). • Expandor (VCA circuit, full-wave rectifying circuit, adder amplifier). • Operational amplifier (in the compressor). • Operational amplifier with muting function (in the expandor). • Analog switch for data s 文件：133.25 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
3
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
167
PD Max (W)：
43
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=1.3
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1=Q2=1
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
8.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
46
Ciss Typ (pF)：
7090
Package Type：
PQFN-8

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更多FDMD8630供应商更新时间2025-10-11 15:08:00

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