Dual N-Channel Power Trench® MOSFET 80V, 40A, 8.2mΩ

该器件包括两个 80 V N 沟道 MOSFET，采用双 Power (3.3 mm x 5 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。 •最大 rDS(on) = 8.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 11 A 时）\n•最大 rDS(on) = 11 mΩ（VGS = 8 V、ID = 9.5 A 时）\n•是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择\n•终端无引线且符合 RoHS 标准\n•100% 经过 UIL 测试\n•开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力;

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel Power Trench짰 MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 80A

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TEL

SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 80A

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TEL

10A High Efficiency Hybrid Digital Step-Down Power Module

Features • Proprietary Renesas R4 Technology • Linear control loop for optimal transient response • Variable frequency and duty cycle control during load transient for fastest possible response • Inherent voltage feed-forward for wide range input • Input voltage range: 4.5V to 16.5V • Outp

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RENESAS

瑞萨