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FDMC8327L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，14A，9.7mΩ 该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10V，ID = 12A时，最大rDS(on) = 9.7mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 10 A时，最大rDS(on) = 12.5mΩ\n•薄型 - 最厚0.8 mm，采用Power 33封装\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC8327L	文件：400.09 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40 V, 14 A, 9.7 m廓文件：400.09 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HMC8327LG	文件：174.95 Kbytes Page：2 Pages	E-BAND LOW NOISE DOWNCONVERTER SIP 81 - 86 GHz 文件：174.95 Kbytes 页数：2 Pages	AD 亚德诺	AD
IRF8327SPBF	文件：264.56 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low Package Inductance 文件：264.56 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF8327SPBF	文件：224.44 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPower MOSFET 文件：224.44 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDMC8327L供应商更新时间2025-10-9 9:05:00