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FDMC8327L

N 沟道,Power Trench® MOSFET,40V,14A,9.7mΩ

该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10V,ID = 12A时,最大rDS(on) = 9.7mΩ\n•VGS = 4.5 V,ID = 10 A时,最大rDS(on) = 12.5mΩ\n•薄型 - 最厚0.8 mm,采用Power 33封装\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMC8327L

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40 V, 14 A, 9.7 m廓

文件:400.09 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

IRF8327SPBF

Ultra Low Package Inductance

文件:264.56 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF8327STRPBF

DirectFETPower MOSFET 

文件:224.44 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

LM8327

LM8327 Mobile I/O Companion Supporting Keyscan, I/O Expansion, PWM, and ACCESS.bus Host Interface

文件:740.29 Kbytes 页数:72 Pages

TI

德州仪器

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    14

  • PD Max (W):

    30

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    12.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    9.7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    9.7

  • Ciss Typ (pF):

    1235

  • Package Type:

    WDFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
LITEON(台湾光宝)
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原装
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更多FDMC8327L供应商 更新时间2026-10-30 22:06:00