25V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 •VGS = 10V，ID = 16.7 A时，最大rDS(on) = 5.0mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 13.6 A时，最大rDS(on) = 7.5mΩ\n•一流的开关性能\n•更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷升压效率\n•屏蔽栅极技术降低了开关模式振铃，提高了抗EMI和交叉导通的能力\n•夹片焊接技术进一步降低了导通电阻和源电感\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET 25 V, 49 A, 5.0 m

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Fairchild

仙童半导体

Cost Effective Network Security Platform with Intel짰 3rd Generation (Ivy Bridge) Processor

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未分类制造商

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