N 沟道 Power Trench® SyncFET™ 25V，40A，2mΩ

FDMC7570S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的rDS(on)。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。 •VGS = 10V，ID = 27 A时，最大rDS(on) = 2mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 21.5 A时，最大rDS(on) = 2.9mΩ\n•先进的封装和组合，实现了低rDS(on)和高效率\n•SyncFET肖特基体二极管\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power Trench짰 SyncFET 25 V, 40 A, 2 m廓

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.95 m Ohm

文件：347.53 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

RF AMPLIFIER MODEL

文件：44.66 Kbytes 页数：1 Pages

APITECH

TV,VTR IF Signal Processor (Super Split PLL VIFSIF)

TV, VTR IF Signal Processor (Super Split PLL VIF+SIF)

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SANYO

三洋