P 沟道 PowerTrench® MOSFET -12V，-80A，3.9mΩ

此 P 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关 PWM 控制器，专为提高 DC/DC 转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已经针对低栅极电荷、低 rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 • 最大值 rDS(on) = 3.9 mΩ（VGS = -4.5 V, ID = -22 A）\n• 最大值 rDS(on) = 6.4 mΩ（VGS = -2.5 V, ID = -16 A）\n•一流的开关性能\n•更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷升压效率\n•屏蔽栅极技术降低了开关节点振铃，提高了抗EMI和交叉导通的能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

6.0A UITRASOFT RECOVERY BRIDGE

文件：1.23115 Mbytes 页数：3 Pages

YFWDIODE

佑风微

60.0 Ampere Heatsink Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Rectifiers

Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power

文件：282.51 Kbytes 页数：2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

60.0 Ampere Heatsink Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers

Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power

文件：281.4 Kbytes 页数：2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体