P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications. Features • –2 A, –12 V. RDS(ON) = 110 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 215 mΩ @ VGS = –

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Fairchild

仙童半导体

P-Channel 20V (D-S) MOSFET

Application » Interfacing Switching Portable equipment and battery © Load Switch

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TECHPUBLIC

台舟电子

P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-12 V，-2 A，110 mΩ

此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。 -2 A，-12V \n RDS(ON) = 110 mΩ @ VGS = 4.5V\n RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = 2.5V\n RDS(ON) = 215 mΩ @ VGS = 1.8V\n 低栅极电荷 \n 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装;

ONSEMI

安森美半导体

Sensing element Gauge

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FUJIKURA

N-Channel MOS FET

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Sanken

三垦

N-Channel MOS FET

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Sanken

三垦