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FDG330P	文件：150.12 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features •–2A,–12V.RDS(ON)=110mΩ@VGS=–4.5VRDS(ON)=150mΩ@VGS=–2.5VRDS(ON)=215mΩ@VGS=–	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGM-330PGSR	文件：255.32 Kbytes Page：5 Pages	SensingelementGauge	FUJIKURAFujikura Ltd. 富士康富士康(中国) 公司	FUJIKURA
FKP330C	文件：320.48 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
FKP330C	文件：325.92 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
FKP330C	文件：309.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FM330	文件：70.05 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM330	文件：25.27 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER(VOLTAGERANGE20to100VoltsCURRENT3.0Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM330	文件：87.69 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
FM330-A	文件：69.34 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM330-A	文件：68.98 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

详细参数

型号：
FDG330P
功能描述：
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	FDG330P	ON	19+	SOT363-6L	8051		询价
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深圳市高捷芯城科技有限公司	FDG330P	onsemi(安森美)	24+	SOT-363-6(SC-70-6)	9908	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	FDG330P	ON/安森美	24+	SOT-363	505348	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	FDG330P	NK/南科功率	9420	SOT-363	36520	国产南科平替供应大量	询价
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更多FDG330P供应商更新时间2025-6-11 16:03:00

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