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ON(安森美)SC-70-6(SOT-363)

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深圳市南科功率半导体有限公司

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FDG329N

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NK/南科功率SOT-363

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国产南科平替供应大量

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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ONN/A

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深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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ONSOT23

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进口原装 价格优势

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FSCSOT363

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ON/安森美SOT-363

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FDG329NMOS(场效应管)

FAIRCHILD/仙童SC70-6

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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FDG329N

onsemi(安森美)SC-88(SC-70-6)

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深圳市科芯源微电子有限公司

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FDG326P

ON/安森美SOT-363

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FDG327N

ON(安森美)SC-70-6(SOT-363)

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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FDG329N

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FDG327NZ

FSC5632

2015

ROHS

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深圳诚思涵科技有限公司

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FDG328P

FSCSOT363

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FDG326P

FAIRCHILD/仙童SOT-163

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洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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FDG329N

FAIRCHILDSOT-223

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FDG327NZ

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深圳市柯尔基电子有限公司

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FDG329N

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FDG326P价格

FDG326P价格：￥0.6240品牌：FAIRCHILD

生产厂家品牌为FAIRCHILD的FDG326P多少钱，想知道FDG326P价格是多少？参考价：￥0.6240。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FDG326P批发价格及采购报价，FDG326P销售排行榜及行情走势，FDG326P报价。

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FDG326P功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDG326P_Q功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDG327N功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDG327N_Q功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDG327NZ功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDG327NZ_Q功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDG328P功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDG329N功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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