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FDG327N中文资料PDF规格书

FDG327N
厂商型号

FDG327N

功能描述

20V N-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

79.82 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-8 17:52:00

FDG327N规格书详情

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS(ON) and gate charge (QG) in a small package.

Features

• 1.5 A, 20 V. RDS(ON) = 90 mΩ @ VGS = 4.5 V. RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 2.5 V RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 1.8 V

• Fast switching speed

• Low gate charge (4.5 nC typical)

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• High power and current handling capability.

Applications

• DC/DC converter

• Power management

• Load switch

产品属性

  • 型号:

    FDG327N

  • 功能描述:

    MOSFET 20V N-Ch PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
SOT-363
54258
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SOT363
7906200
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ON-安森美
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