FDD5N50F

N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 3.5A, 1.55廓

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand

FDD5N50F

N-Channel MOSFET, FRFET

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand

FDD5N50F

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.55Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

FDD5N50F

N 沟道 UniFETTM FRFET® MOSFET; •RDS(on) = 1.25Ω（典型值） @ VGS = 10 V, ID = 1.75 A\n•低栅极电荷（典型值 11 nC)\n•低Crss（典型值 5 pF)\n•快速开关\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 性能\n•符合 RoHS 标准\n;

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET®MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

FDD5N50FTM

N-Channel MOSFET, FRFET

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand

FDD5N50FTM-WS

包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK