FDD5612

60V N-Channel PowerTrench??MOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •19A,60V.RDS(ON)=0.055Ω@VGS=10V RDS(ON)=0.064Ω@

FDD5612

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=55mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

FDD5612

60V N 沟道 PowerTrench® MOSFET 18A，55mΩ; •18 A，60 V\n•RDS(ON) = 55 mΩ @ VGS = 10 V\n•RDS(ON) = 64 mΩ @ VGS = 6 V\n•专门针对高频DC/DC转换器应用进行了优化。\n•低栅极电荷。\n•极快速开关。\n;

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

FYS-5612AX

LEDDIGITDISPLAY

FYS-5612BX

LEDDIGITDISPLAY

HRPS5612

Pushbuttonswitch,rightangle,illumination