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FDD5612	文件：147.92 Kbytes Page：5 Pages	60V N-Channel PowerTrench??MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •19A,60V.RDS(ON)=0.055Ω@VGS=10V RDS(ON)=0.064Ω@	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD5612	文件：299 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=55mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FYS-5612AX	文件：329.16 Kbytes Page：5 Pages	LEDDIGITDISPLAY	FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd. 复洋宁波复洋光电有限公司	FORYARD
FYS-5612BX	文件：329.16 Kbytes Page：5 Pages	LEDDIGITDISPLAY	FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd. 复洋宁波复洋光电有限公司	FORYARD
HRPS5612	文件：491.45 Kbytes Page：2 Pages	Pushbuttonswitch,rightangle,illumination	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS
HRPSA5612	文件：491.45 Kbytes Page：2 Pages	Pushbuttonswitch,rightangle,illumination	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS
IRKH5612A	文件：233.54 Kbytes Page：10 Pages	THYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRKL5612A	文件：233.54 Kbytes Page：10 Pages	THYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
FDD5612
功能描述：
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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