60V N-Channel PowerTrench??MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Features • 19 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 Ω @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.064 Ω @

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =55mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

60V N 沟道 PowerTrench® MOSFET 18A，55mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。 •18 A，60 V\n•RDS(ON) = 55 mΩ @ VGS = 10 V\n•RDS(ON) = 64 mΩ @ VGS = 6 V\n•专门针对高频DC/DC转换器应用进行了优化。\n•低栅极电荷。\n•极快速开关。;

ONSEMI

安森美半导体

LED DIGIT DISPLAY

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FORYARD

复洋

LED DIGIT DISPLAY

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FORYARD

复洋

Pushbutton switch, right angle, illumination

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APEX-ELECTRONICS