丝印：40P30；Package：TO-252-3L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Vos=-40V ID=-30 A RDS(ON)

文件：3.39002 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -40V, ID= -40A RDS(ON)

文件：822.46 Kbytes 页数：5 Pages

BYCHIP

百域芯

40V P-Channel PowerTrench MOSFET -40V -32A 27m ohm

文件：402.71 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET

文件：1.08009 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

丝印：FDD4685；Package：D-PAK；P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：740.91 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

P 沟道 PowerTrench® MOSFET，-40V，-23A，27mΩ

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench®技术生产，具有低rDS(on)和良好的开关性能，在各种应用中都具有卓越的表现。 •VGS = -10V，ID = -8.4A时，最大RDS(on) = 27mΩ\n•VGS = -4.5V，ID = -7A时，最大RDS(on) = 35mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -40V, -32A, 35m廓

文件：432.21 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-40 V，-32 A，35 mΩ

P-Channel PowerTrench® MOSFET, -40 V, -32 A, 35 mΩ •VGS = 10V，ID = 8.4A时，典型rDS(on) = 23mΩ\n•典型rDS(on) = 30mΩ （VGS = -4.5V且ID = -7A时）\n•Qg(TOT) = 19nC（典型值）（在VGS = -5V时）\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101;

ONSEMI

安森美半导体