FDD390N15A

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=42mΩ(Max) ·100avalanchetested DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive

FDD390N15A

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=150V,ID=40A RDS(ON)

FDD390N15A

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V, 26A, 40mΩ; •RDS(on) = 33.5mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 26A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷，QG = 14.3nC（典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准\n;

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

FDD390N15A

isc N-Channel MOSFET Transistor

FDD390N15ALZ

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，26A，42mΩ; •RDS(on) = 33.4mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 26A\n•RDS(on) = 42.2mΩ ( Typ.)@ VGS = 4.5V, ID = 20A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷，QG = 17.6nC（典型值）@ VGS = 10V\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准\n;

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

FDD390N15ALZ

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=42mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

FDD390N15ALZ

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=150V,ID=20A RDS(ON)

FDD390N15ALZ

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 26A, 42m廓

FDD390N15ALZ

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET