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FDD390N15A	文件：304.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=42mΩ(Max) ·100avalanchetested DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDD390N15A	文件：741.17 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=150V,ID=40A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO,. LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司
FDD390N15A	文件：351.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDD390N15ALZ	文件：299.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=42mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDD390N15ALZ	文件：270.02 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 26A, 42m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD390N15ALZ	文件：1.00464 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FDB390N15A	文件：616.56 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET150V,27A,39m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDB390N15A	文件：328.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=39mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDPF390N15A	文件：318.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDPF390N15A	文件：628.43 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET150V,15A,40m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

型号：
FDD390N15A
功能描述：
MOSFET PT5 100/20V NCH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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