isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 26A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 42mΩ(Max) ·100 avalanche tested DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive

文件：304.45 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 150V, ID= 40 A RDS(ON)

文件：741.17 Kbytes 页数：4 Pages

Bychip

百域芯

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：351.83 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=26A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =42mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：299.69 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 150V, ID= 20 A RDS(ON)

文件：685.93 Kbytes 页数：4 Pages

Bychip

百域芯

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

文件：1.00464 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 26A, 42m廓

文件：270.02 Kbytes 页数：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V, 26A, 40mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 33.5mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 26A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷，QG = 14.3nC（典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，26A，42mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 33.4mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 26A\n•RDS(on) = 42.2mΩ ( Typ.)@ VGS = 4.5V, ID = 20A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷，QG = 17.6nC（典型值）@ VGS = 10V\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体