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FDD16AN08A0

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

文件:690.05 Kbytes 页数:4 Pages

Bychip

百域芯

FDD16AN08A0

N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16m?

文件:242.77 Kbytes 页数:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDD16AN08A0

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,75 V,50 A,16 mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET 75 V, 50 A, 16 mΩ •RDS(on) = 13mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 50A\n•QG(tot) = 31nC(典型值) @ VGS = 10V\n•低米勒电荷\n•低 Qrr 体二极管\n•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)\n•符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDP16AN08A0

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:328.37 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDP16AN08A0

N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16m?

文件:267.52 Kbytes 页数:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    75

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    50

  • PD Max (W):

    135

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    16

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    31

  • Ciss Typ (pF):

    1874

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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TO-252
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ON/安森美
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TO-252
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TO-252
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更多FDD16AN08A0供应商 更新时间2025-12-10 13:18:00