N-Channel Power Trench짰 MOSFET 30 V, 6.5 A, 23 m廓

文件：267.22 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.037859 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

30V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)开关性能进行了优化。 •VGS = 10 V，ID = 6.5 A时，最大rDS(on) = 23mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 6.0 A时，最大rDS(on) = 30mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•快速开关速度\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Single N-Channel Power Trench짰 MOSFET 30 V, 6.5 A, 23 m廓

文件：250.55 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Application » DC — DC Buck Converters » Load switch « Power management « Motor Control Portable Power Adaptors

文件：2.53629 Mbytes 页数：4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 30V, 15A, 19m廓

文件：296.14 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体