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FDC699P	文件：162.45 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 2.5V PowerTrencH MOSFET General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Features • –7 A, –20 V RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS 文件：162.45 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDC699P	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel 2.5V PowerTrencH MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
G699	文件：184.73 Kbytes Page：8 Pages	Microprocessor Reset IC 文件：184.73 Kbytes 页数：8 Pages	GMT 致新科技	GMT
HOA699X	文件：1.02693 Mbytes Page：18 Pages	Infrared Sensors Line Guide 文件：1.02693 Mbytes 页数：18 Pages	HONEYWELL 霍尼韦尔	HONEYWELL
HOA699X	文件：929.75 Kbytes Page：6 Pages	Transmissive Optoschmitt Sensor 文件：929.75 Kbytes 页数：6 Pages	HONEYWELL 霍尼韦尔	HONEYWELL

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更多FDC699P供应商更新时间2026-1-22 23:00:00