FDC636P数据手册ONSEMI中文资料规格书
技术参数
- 型号：
FDC636P
- 功能描述：
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
80 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOT23-6 |
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ON/安森美 |
25+ |
SOT-163 |
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FAIRCHIL |
25+ |
SOT163 |
3000 |
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FAIRCHILD |
19+ |
SSOT-6 |
200000 |
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ON/安森美 |
24+ |
TSOP-6 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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SOT-23-6 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD |
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SOT23 |
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