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FDB9409L_F085

汽车级,N 沟道,逻辑电平,MOSFET,40 V,90 A,2.9 mΩ

Automotive N-Channel Logic Level MOSFET 40 V, 90 A, 2.9 mΩ • “典型值 RDS(on) = 2.3 mΩ(VGS =10 V, ID = 80 A 时)\n• 典型值 Qg(tot) = 52 nC(VGS = 10V, ID = 80 A 时)\n•UIS 能力\n•符合 RoHS 标准\n• 符合 AEC Q101\";

ONSEMI

安森美半导体

FDB9409L_F085

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

文件:507.94 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDD9409L_F085

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

文件:608.41 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDMS9409L_F085

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

文件:604.33 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    90

  • PD Max (W):

    94

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    4.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    2.9

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    52

  • Ciss Typ (pF):

    3360

  • Package Type:

    D2PAK-3/TO-263-2

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更多FDB9409L_F085供应商 更新时间2025-10-6 15:08:00