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FDB9406L_F085

N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,40 V,110 A,1.5 mΩ

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 40 V, 110 A, 1.5 mΩ • Typical RDS(on) = 1.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 80 A\n• Typical Qg(tot) = 121 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A\n• UIS Capability\n• RoHS Compliant\n• Qualified to AEC Q101;

ONSEMI

安森美半导体

FDB9406L_F085

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

文件:512.89 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDBL0630N150

ON
PSOF-8L

ON

FDBL86063-F085

ONSEMI
MO-299A

ONSEMI

安森美半导体

上传:深圳深宇韬电子科技有限公司

FDBL86361-F085

Onsemi安森美
HPSOF8L

Onsemi安森美

上传:深圳市中联芯电子有限公司

Onsemi安森美

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    110

  • PD Max (W):

    176

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    2.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    1.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    121

  • Ciss Typ (pF):

    8600

  • Package Type:

    D2PAK-3/TO-263-2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDB9406L_F085供应商 更新时间2025-10-5 15:08:00