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FDB2670中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDB2670
厂商型号

FDB2670

功能描述

200V N-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

83.65 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-3 9:40:00

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FDB2670规格书详情

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed specifically for switching on the primary side in the isolated DC/DC converter application. Any application requiring a 200V MOSFETs with low on-resistance and fast switching will benefit.

These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications.

The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.

特性 Features

• 19 A, 200 V. RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10 V

• Low gate charge (27 nC typical)

• Fast switching speed

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• High power and current handling capability

产品属性

  • 型号:

    FDB2670

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-Channel Pwr Trench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
24+
TO-263AB
5000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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