FDB2614中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FDB2614规格书详情
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Description
• 62A, 200V, RDS(on) = 22.9mΩ @VGS = 10 V
• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS(on)
• High power and current handling capability
Application
• PDP application
产品属性
- 型号：
FDB2614
- 功能描述：
MOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
TO-263 |
10000 |
询价 | |||
Fairchild |
22+ |
NA |
5111 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
2324+ |
D2PAK |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 |
