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FDB24AN06LA0

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 19mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件:332.68 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDB24AN06LA0

N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 24mohm

文件:248.21 Kbytes 页数:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDB24AN06LA0

N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 24mohm

ONSEMI

安森美半导体

FDB33N25TM

TO-263

FAIRCHILD/仙童

FDB8443

TO263

Fairchild

仙童半导体

上传:深圳市旺财半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    FDB24AN06L

  • 功能描述:

    MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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to-263/d2
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更多FDB24AN06L供应商 更新时间2025-12-18 16:12:00